Необходимо исследовать следующие три полупроводниковых прибора:
1) кремниевый диод,
2) биполярный транзистор,
3) полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
1. Для каждого полупроводникового прибора снять ВАХ:
для кремниевого диода — ВАХ в прямой и обратной областях,
для биполярного транзистора — семейства входных, выходных и сквозную ВАХ,
для полевого транзистора с управляющим p-n-переходом семейство выходных ВАХ и сквозную (передаточную) ВАХ.
2. В выбранной рабочей точке на ВАХ каждого прибора определить с помощью графических построений и расчетов основные свойственные данному прибору параметры.
Подготовить отчет по работе:
1. Цель лабораторной работы.
2. Последовательно для каждого прибора привести следующие сведения:
а) электрическую схему опыта и окно установок, с помощью которых пакет MicroCap11 рассчитывает и выводит на рабочий стол ВАХ изучаемого прибора,
б) графики ВАХ изучаемого прибора с удобными масштабными сетками по осям x и y,
в) указание положения рабочей точки на ВАХ, в которой определяются статические и динамические параметры прибора,
г) необходимую графическую и текстовую информацию на ВАХ
д) численные расчеты каждого параметра в формате: формула, численные значения величин, численный результат с указанием размерности.
Вывод о корректности расчета (соответствия практическим численным рамкам для данного параметра), суждение о свойствах изучаемого прибора, касающихся мощности, напряжения, тока, эффективности усилительных свойств и прочее/
Ангелина
ИРНИТУ
Отличное исполнение, раньше срока! Благодарю за выполненную работу! Рекомендую к сотруднич...
Светлана
БГТУ имени Шухова
Лариса выполнила задание в срок как и договаривались по очень приемлемой цене. Я довольна.
Алексей
АмГУ
Работа была выполнена досрочно, замечания оперативно исправлены... Оценка отлично, спасибо!
Валерия
РАНХиГСУ
Анастасия,выручает не в первый раз.Очень быстро выполняет работу и максимально качественно...