Для заданного резкого несимметричного p-n перехода определить:
1. концентрацию основных и неосновных носителей заряда;
2. удельную проводимость p- и n-областей;
3. контактную разность потенциалов;
4. коэффициенты диффузии для носителей заряда обоих типов;
5. ширину p-n перехода в равновесном состоянии;
6. ток насыщения;
7. высоту энергетического барьера:
а) при протекании заданного прямого тока ;
б) при приложении заданного обратного напряжения .
8. барьерную емкость p-n перехода при ;
9. отношение дырочной составляющей тока через p-n переход к электронной.
Нарисовать энергетические диаграммы для трех случаев:
а) для равновесного состояния;
б) при протекании прямого тока ;
в) при приложении обратного напряжения .
Известна площадь p-n перехода S=10-6 м2 и диффузионная длина неосновных носителей Ln=310-4 м, Lp=210-4 м (Т=300 К). N1 – определяет материал полупроводника, N2 – задает концентрации акцепторной и донорной примесей, N3 – указывает на значения прямого тока через p-n переход и обратного напряжения, приложенного к p-n переходу. Параметры N1, N2, N3 выбираются из табл. 1-3.
Андрей
РГУ им. Косыгина
Прекрасный исполнитель очень отзывчивый, и положительный. Спасибо вам Наталья
Татьяна
СПБГЭУ
Огромное спасибо, Карина. Все очень быстро , все исправлено по просьбе, теперь только ждём...
Александра
АлтГУ
Взяла исполнителя на заметку . Выполнил работу на много раньше срока ,все четко ,без замеч...
Александра
СПбГТИ(ТУ)
Работа выполнена вовремя, качественно, без замечаний!Спасибо за оперативность и понимание!...