Для заданного резкого несимметричного p-n перехода определить:
1. концентрацию основных и неосновных носителей заряда;
2. удельную проводимость p- и n-областей;
3. контактную разность потенциалов;
4. коэффициенты диффузии для носителей заряда обоих типов;
5. ширину p-n перехода в равновесном состоянии;
6. ток насыщения;
7. высоту энергетического барьера:
а) при протекании заданного прямого тока ;
б) при приложении заданного обратного напряжения .
8. барьерную емкость p-n перехода при ;
9. отношение дырочной составляющей тока через p-n переход к электронной.
Нарисовать энергетические диаграммы для трех случаев:
а) для равновесного состояния;
б) при протекании прямого тока ;
в) при приложении обратного напряжения .
Известна площадь p-n перехода S=10-6 м2 и диффузионная длина неосновных носителей Ln=310-4 м, Lp=210-4 м (Т=300 К). N1 – определяет материал полупроводника, N2 – задает концентрации акцепторной и донорной примесей, N3 – указывает на значения прямого тока через p-n переход и обратного напряжения, приложенного к p-n переходу. Параметры N1, N2, N3 выбираются из табл. 1-3.
Влад
ТулГУ
Не первый раз обращаюсь к Наталье, работа всегда выполнена качественно и без задержек. Рек...
сергей
МГТУ им Баумана
работа выполнена на отлично были нюансы автор шел на встречу и исправлял сразу ,всегда вел...
Анна
МПГУ
Все прекрасно! Александра спасибо! Все здорово! Замечаний нет! Буду еще обращаться. всем с...
Виктория
ОГУЭТ
Работа выполнена на отлично, за очень маленький срок, большое спасибо )!!!